Link tải luận văn miễn phí cho ae Kết Nối
1. Tính toán các thông số. ................................................................................................ 1
2. Mô phỏng mạch bằng PSIM. ....................................................................................... 2
2.1 Tiến hành mô phỏng: ................................................................................................ 2
2.2 Kết quả mô phỏng: ..................................................... Error! Bookmark not defined.
2.3 So sánh với lý thuyết: ................................................. Error! Bookmark not defined.
3. Tìm hiểu linh kiện thực tế.......................................................................................... 10
3.1 MOSFET:................................................................................................................. 10
3.2 Diode: ........................................................................ Error! Bookmark not defined.
3.3 Điện Trở:.................................................................... Error! Bookmark not defined.
3.4 Cuộn Cảm: ................................................................. Error! Bookmark not defined.
3.5 Tụ Điện:........................................................................ Error! Bookmark not defined.
TÀI LIỆU THAM KHẢO................................................................................................. 19
Yêu cầu:
Thiết kế bộ biến đổi Boost với điện áp ra là 60V. Điện áp ngõ vào là 12V. Thiết
kế sao cho dòng qua cuộn kháng liên tục và độ nhấp nhô điện áp thấp hơn 1%.
Tải R = 50Ω. Tần số đóng cắt có thể chọn 20kHz.
Sơ đồ nguyên lý bộ Boost:
1. Tính toán các thông số
Giả thuyết:
- Mạch vận hành ở xáclập.
- Dòng qua cuộn kháng liên tục, luôn dương.
- Tụ điện rất lớn, điện áp ngõ ra không đổi và có giá trị V0
- Chu kỳ đóng cắt T, thời gian đóng : DT, ngắt : (1-D)T.
Tínhtoán:
- Xác định tỷ số đóng dòng D
0
0
12
1 1 0.8
1 50
V V in in
V D
D V
- Xác định L:
Từ điều kiện dòng qua L liên tục, ta có:
2 2
min 3
(1 ) 0,8.(1 0,8) .60
48
2 2.20.10
D D R
L H
f
Chọn L=48µH
- Xác định C:
Độ nhấp nhô điện áp thấp hơn 1%
Chọn C=100µF
Nhận xét: Ta nhận thấy các giá trị mô phỏng gần đúng với lý thuyết, có sai
số nhỏ do quá trình lấy mẫu
3. Tìm hiểu linh kiện thực tế
3.1 Mosfet
Mosfet là Transistor hiệu ứng trường ( Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor ) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác
với Transistor thông thường mà ta đã biết. Mosfet thường có công suất lớn
hơn rất nhiều so với BJT.Đối với tín hiệu 1 chiều thì nó coi như là 1 khóa
đóng mở. Mosfet có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để
tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợn cho
khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu, Mosfet được sử dụng nhiều trong các
mạch nguồn Monitor, nguồn máy tính.
Hình dạng thực tế:
Do Drive thay đổi chính sách, nên một số link cũ yêu cầu duyệt download. các bạn chỉ cần làm theo hướng dẫn.
Password giải nén nếu cần: ket-noi.com | Bấm trực tiếp vào Link để tải:
1. Tính toán các thông số. ................................................................................................ 1
2. Mô phỏng mạch bằng PSIM. ....................................................................................... 2
2.1 Tiến hành mô phỏng: ................................................................................................ 2
2.2 Kết quả mô phỏng: ..................................................... Error! Bookmark not defined.
2.3 So sánh với lý thuyết: ................................................. Error! Bookmark not defined.
3. Tìm hiểu linh kiện thực tế.......................................................................................... 10
3.1 MOSFET:................................................................................................................. 10
3.2 Diode: ........................................................................ Error! Bookmark not defined.
3.3 Điện Trở:.................................................................... Error! Bookmark not defined.
3.4 Cuộn Cảm: ................................................................. Error! Bookmark not defined.
3.5 Tụ Điện:........................................................................ Error! Bookmark not defined.
TÀI LIỆU THAM KHẢO................................................................................................. 19
Yêu cầu:
Thiết kế bộ biến đổi Boost với điện áp ra là 60V. Điện áp ngõ vào là 12V. Thiết
kế sao cho dòng qua cuộn kháng liên tục và độ nhấp nhô điện áp thấp hơn 1%.
Tải R = 50Ω. Tần số đóng cắt có thể chọn 20kHz.
Sơ đồ nguyên lý bộ Boost:
1. Tính toán các thông số
Giả thuyết:
- Mạch vận hành ở xáclập.
- Dòng qua cuộn kháng liên tục, luôn dương.
- Tụ điện rất lớn, điện áp ngõ ra không đổi và có giá trị V0
- Chu kỳ đóng cắt T, thời gian đóng : DT, ngắt : (1-D)T.
Tínhtoán:
- Xác định tỷ số đóng dòng D
0
0
12
1 1 0.8
1 50
V V in in
V D
D V
- Xác định L:
Từ điều kiện dòng qua L liên tục, ta có:
2 2
min 3
(1 ) 0,8.(1 0,8) .60
48
2 2.20.10
D D R
L H
f
Chọn L=48µH
- Xác định C:
Độ nhấp nhô điện áp thấp hơn 1%
Chọn C=100µF
Nhận xét: Ta nhận thấy các giá trị mô phỏng gần đúng với lý thuyết, có sai
số nhỏ do quá trình lấy mẫu
3. Tìm hiểu linh kiện thực tế
3.1 Mosfet
Mosfet là Transistor hiệu ứng trường ( Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor ) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác
với Transistor thông thường mà ta đã biết. Mosfet thường có công suất lớn
hơn rất nhiều so với BJT.Đối với tín hiệu 1 chiều thì nó coi như là 1 khóa
đóng mở. Mosfet có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để
tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợn cho
khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu, Mosfet được sử dụng nhiều trong các
mạch nguồn Monitor, nguồn máy tính.
Hình dạng thực tế:
Do Drive thay đổi chính sách, nên một số link cũ yêu cầu duyệt download. các bạn chỉ cần làm theo hướng dẫn.
Password giải nén nếu cần: ket-noi.com | Bấm trực tiếp vào Link để tải:
You must be registered for see links