lynksu_dbsk
New Member
BÀI TẬP VI ĐIỀU KHIỂN (HỌ VI ĐIỀU KHIỂN 8051)
1. SỬ DỤNG TẬP LỆNH
Truy xuất RAM nội
1.1 Viết CT ghi 40H vào ô nhớ 30H của RAM nội theo 2 cách (định địa chỉ ô nhớ trực tiếp và định
địa chỉ ô nhớ gián tiếp).
1.2 Viết CT xóa ô nhớ 31H của RAM nội theo 2 cách (định địa chỉ ô nhớ trực tiếp và định địa chỉ ô nhớ gián tiếp).
1.3 Viết CT ghi nội dung thanh ghi A vào ô nhớ 32H của RAM nội theo 2 cách (định địa chỉ ô nhớ
trực tiếp và định địa chỉ ô nhớ gián tiếp).
1.4 Viết CT đọc ô nhớ 33H của RAM nội vào thanh ghi A theo 2 cách (định địa chỉ ô nhớ trực tiếp
và định địa chỉ ô nhớ gián tiếp).
1.5 Viết CT chuyển dữ liệu ô nhớ 34H của RAM nội vào ô nhớ 35H của RAM nội theo 2 cách
(định địa chỉ ô nhớ trực tiếp và định địa chỉ ô nhớ gián tiếp).
Truy xuất Port
1.6 Viết CT xuất 0FH ra Port 1.
1.7 Viết CT xuất F0H ra Port 2.
1.8 Viết CT xuất nội dung thanh ghi A ra Port 1.
1.9 Viết CT nhập từ Port 1 vào thanh ghi A.
1.10 Viết CT nhập từ Port 1 và xuất ra Port 2.
1.11 Viết CT xuất 1 (mức logic cao) ra chân P1.0
1.12 Viết CT xuất 0 (mức logic thấp) ra chân P1.1
Truy xuất RAM nội, RAM ngoài và Port
1.13 Viết CT nhập từ Port 1 vào ô nhớ 42H (RAM nội). Làm theo 2 cách (định địa chỉ ô nhớ trực tiếp và định địa chỉ ô nhớ gián tiếp).
1.14 Viết CT lấy ô nhớ 43H (RAM nội) xuất ra Port 1. Làm theo 2 cách (định địa chỉ ô nhớ trực tiếp và định địa chỉ ô nhớ gián tiếp).
Sử dụng vòng lặp
1.15 Viết CT xóa 20 ô nhớ RAM nội có địa chỉ bắt đầu là 30H.
1.16 Cho một chuỗi dữ liệu gồm 20 byte liên tiếp trong RAM nội, bắt đầu từ địa chỉ 20H. Hãy viết
CT lần lượt xuất các dữ kiệu này ra Port 1.
Tạo trễ (delay)
1.17 Viết CT con delay 100μs, biết rằng thạch anh (xtal) dùng trong hệ thống là 12 MHz
1.18 Viết CT con delay 100ms, biết rằng thạch anh (xtal) dùng trong hệ thống là 12 MHz
1.19 Viết CT con delay 1s, biết rằng thạch anh (xtal) dùng trong hệ thống là 12 MHz
1. SỬ DỤNG TẬP LỆNH
Truy xuất RAM nội
1.1 Viết CT ghi 40H vào ô nhớ 30H của RAM nội theo 2 cách (định địa chỉ ô nhớ trực tiếp và định
địa chỉ ô nhớ gián tiếp).
1.2 Viết CT xóa ô nhớ 31H của RAM nội theo 2 cách (định địa chỉ ô nhớ trực tiếp và định địa chỉ ô nhớ gián tiếp).
1.3 Viết CT ghi nội dung thanh ghi A vào ô nhớ 32H của RAM nội theo 2 cách (định địa chỉ ô nhớ
trực tiếp và định địa chỉ ô nhớ gián tiếp).
1.4 Viết CT đọc ô nhớ 33H của RAM nội vào thanh ghi A theo 2 cách (định địa chỉ ô nhớ trực tiếp
và định địa chỉ ô nhớ gián tiếp).
1.5 Viết CT chuyển dữ liệu ô nhớ 34H của RAM nội vào ô nhớ 35H của RAM nội theo 2 cách
(định địa chỉ ô nhớ trực tiếp và định địa chỉ ô nhớ gián tiếp).
Truy xuất Port
1.6 Viết CT xuất 0FH ra Port 1.
1.7 Viết CT xuất F0H ra Port 2.
1.8 Viết CT xuất nội dung thanh ghi A ra Port 1.
1.9 Viết CT nhập từ Port 1 vào thanh ghi A.
1.10 Viết CT nhập từ Port 1 và xuất ra Port 2.
1.11 Viết CT xuất 1 (mức logic cao) ra chân P1.0
1.12 Viết CT xuất 0 (mức logic thấp) ra chân P1.1
Truy xuất RAM nội, RAM ngoài và Port
1.13 Viết CT nhập từ Port 1 vào ô nhớ 42H (RAM nội). Làm theo 2 cách (định địa chỉ ô nhớ trực tiếp và định địa chỉ ô nhớ gián tiếp).
1.14 Viết CT lấy ô nhớ 43H (RAM nội) xuất ra Port 1. Làm theo 2 cách (định địa chỉ ô nhớ trực tiếp và định địa chỉ ô nhớ gián tiếp).
Sử dụng vòng lặp
1.15 Viết CT xóa 20 ô nhớ RAM nội có địa chỉ bắt đầu là 30H.
1.16 Cho một chuỗi dữ liệu gồm 20 byte liên tiếp trong RAM nội, bắt đầu từ địa chỉ 20H. Hãy viết
CT lần lượt xuất các dữ kiệu này ra Port 1.
Tạo trễ (delay)
1.17 Viết CT con delay 100μs, biết rằng thạch anh (xtal) dùng trong hệ thống là 12 MHz
1.18 Viết CT con delay 100ms, biết rằng thạch anh (xtal) dùng trong hệ thống là 12 MHz
1.19 Viết CT con delay 1s, biết rằng thạch anh (xtal) dùng trong hệ thống là 12 MHz