nguyenkhangduy2002
New Member
Link tải luận văn miễn phí cho ae Kết nối
MỨC NĂNG LƯỢNG VÀ DẢI NĂNG LƯỢNG.4
I. KHÁI NIỆM VỀCƠHỌC NGUYÊN LƯỢNG:.4
II. PHÂN BỐ ĐIỆN TỬTRONG NGUYÊN TỬTHEO NĂNG LƯỢNG:.6
III. DẢI NĂNG LƯỢNG: (ENERGY BANDS).8
Chương II.12
SỰDẪN ĐIỆN TRONG KIM LOẠI.12
I. ĐỘLINH ĐỘNGVÀ DẪN XUẤT:.12
II. PHƯƠNG PHÁPKHẢO SÁT CHUYỄN ĐỘNG CỦA HẠT TỬBẰNG NĂNGLƯỢNG:.14
III. THẾNĂNG TRONG KIM LOẠI:.15
IV. SỰPHÂNBỐCỦA ĐIỆN TỬTHEO NĂNG LƯỢNG:.18
V. CÔNG RA (HÀMCÔNG):.20
VI. ĐIỆN THẾTIẾP XÚC (TIẾP THẾ):.21
Chương III.22
CHẤT BÁN DẪN ĐIỆN.22
I. CHẤT BÁN DẪN ĐIỆN THUẦN HAY NỘI BẨM:.22
II. CHẤT BÁN DẪN NGOẠI LAI HAY CÓ CHẤTPHA:.24
1. Chất bán dẫn loại N: (N -type semiconductor).24
2. Chất bán dẫn loại P:.25
3. Chất bán dẫn hỗn hợp:.26
III. DẪN SUẤT CỦA CHẤT BÁN DẪN:.27
IV. CƠCHẾDẪN ĐIỆN TRONG CHẤT BÁN DẪN:.29
V. PHƯƠNG TRÌNH LIÊN TỤC:.30
Chương IV.32
NỐI P-N VÀ DIODE.32
I. CẤU TẠO CỦA NỐI P-N:.32
II. DÒNG ĐIỆN TRONG NỐI P-NKHI ĐƯỢC PHÂN CỰC:.34
1. Nối P-N được phân cực thuận:.35
2. Nối P-N khi được phân cực nghịch:.38
III. ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘLÊN NỐI P-N:.40
IV. NỘI TRỞCỦA NỐI P-N.41
1. Nội trởtĩnh
Staticresistance).41
2. Nội trở độngcủa nối P-N: (DynamicResistance).42
V. ĐIỆN DUNG CỦA NỐI P-N.44
1. Điệndung chuyển tiếp (Điệndung nối).44
2. Điệndung khuếch tán.(Difusion capacitance).45
VI. CÁC LOẠI DIODE THÔNG DỤNG.45
1. Diode chỉnh lưu:.45
2. Diode táchsóng.53
3. Diode schottky:.53
4. Diode ổn áp (diode Zenner):.54
5. Diode biến dung: (Varicap– Varactor diode).57
6. Diode hầm (Tunnel diode).58
Bài tập cuối chương.59
Chương V.61
TRANSISTOR LƯỠNG CỰC.61
I. CẤU TẠO CƠBẢN CỦA BJT.61
II. TRANSISTOR ỞTRẠNG THÁI CHƯA PHÂN CỰC.61
III. CƠCHẾHOẠT ĐỘNG CỦA TRANSISTOR LƯỠNG CỰC.63
IV. CÁC CÁCH RÁP TRANSISTOR VÀ ĐỘLỢI DÒNG ĐIỆN.64
V. DÒNG ĐIỆN RỈTRONG TRANSISTOR.66
VI. ĐẶC TUYẾN V-I CỦA TRANSISTOR.67
1. Mắc theokiểu cực nền chung:.68
2. Mắc theokiểu cực phát chung.69
3. Ảnh hưởng của nhiệt độlên các đặc tuyến của BJT.72
VII. ĐIỂM ĐIỀU HÀNH – ĐƯỜNG THẲNG LẤY ĐIỆN MỘT CHIỀU.73
VIII. KIỂU MẪU MỘT CHIỀU CỦA BJT.78
Trang 2 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
IX. BJT VỚI TÍN HIỆU XOAY CHIỀU.80
1. Mô hìnhcủa BJT:.80
2. Điện dẫn truyền (transconductance).82
3. Tổngtrởvào của transistor:.83
4. Hiệu ứng Early(Earlyeffect).85
5. Mạchtương đương xoaychiều của BJT:.86
Bài tập cuối chương.90
CHƯƠNG 6.91
TRANSISTOR TRƯỜNG ỨNG.91
I. CẤU TẠO CĂN BẢN CỦA JFET:.91
II. CƠCHẾHOẠT ĐỘNG CỦA JFET:.93
III. ĐẶC TUYẾN TRUYỀN CỦA JFET.99
IV. ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘTRÊN JFET.100
V. MOSFET LOẠI HIẾM (DEPLETION MOSFET: DE MOSFET).102
VI. MOSFET LOẠI TĂNG (ENHANCEMENT MOSFET: E-MOSFET).107
VII.XÁC ĐỊNH ĐIỂM ĐIỀU HÀNH:.111
VIII. FET VỚI TÍN HIỆU XOAY CHIỀU VÀ MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG VỚI TÍN HIỆU NHỎ.113
IX. ĐIỆN DẪN TRUYỀN (TRANSCONDUCTANCE) CỦA JFET VÀ DEMOSFET.117
X. ĐIỆN DẪN TRUYỀN CỦA E-MOSFET.118
XI. TỔNG TRỞVÀO VÀ TỔNG TRỞRA CỦA FET.119
XII. CMOS TUYẾN TÍNH (LINEAR CMOS).120
XIII. MOSFET CÔNG SUẤT: V-MOS VÀD-MOS.122
1. V-MOS:.122
2. D-MOS:.123
Bài tập cuối chương.125
CHƯƠNG VII.126
LINH KIỆN CÓ BỐN LỚP BÁN DẪN PNPN VÀ NHỮNG LINH KIỆN KHÁC.126
I. SCR (THYRISTOR – SILICON CONTROLLED RECTIFIER).126
1. Cấu tạo và đặc tính:.126
2. Đặc tuyến Volt-Ampere của SCR:.128
3. Các thông sốcủa SCR:.129
4. SCR hoạt động ở điện thếxoay chiều.130
5. Vài ứng dụng đơn giản:.131
II. TRIAC (TRIOD AC SEMICONDUCTOR SWITCH).133
III. SCS (SILICON – CONTROLLED SWITCH).135
IV. DIAC.136
V. DIOD SHOCKLEY.137
VI. GTO (GATE TURN – OFF SWITCH).138
VII.UJT (UNIJUNCTION TRANSISTOR – TRANSISTOR ĐỘC NỐI).140
1. Cấu tạo và đặc tính của UJT:.140
2. Các thông sốkỹthuật của UJT và vấn đề ổn định nhiệt cho đỉnh:.143
3. Ứng dụng đơn giản của UJT:.144
VIII. PUT (Programmable UnijunctionTransistor).145
CHƯƠNG VIII.148
LINH KIỆN QUANG ĐIỆN TỬ.148
I. ÁNH SÁNG.148
II. QUANG ĐIỆN TRỞ(PHOTORESISTANCE).149
III. QUANG DIOD (PHOTODIODE).151
IV. QUANG TRANSISTOR (PHOTO TRANSISTOR).152
V. DIOD PHÁT QUANG (LED-LIGHT EMITTINGDIODE).154
VI. NỐI QUANG.155
CHƯƠNG IX.157
SƠLƯỢC VỀIC.157
I. KHÁI NIỆM VỀIC -SỰKẾT TỤTRONG HỆTHỐNG ĐIỆN TỬ.157
II. CÁC LOẠI IC.159
1. ICmàng (film IC):.159
2. IC đơn tínhthể(Monolithic IC):.159
3. IClai (hibrid IC).160
III. SƠLƯỢC VỀQUI TRÌNH CHẾTẠO MỘT IC ĐƠN TINH THỂ.160
IV. IC SỐ(IC DIGITAL) VÀ IC TƯƠNG TỰ(IC ANALOG).162
1. ICDigital:.162
2. ICanalog:.163
Tài liệu tham khảo.163
Chương I
MỨC NĂNG LƯỢNG VÀ DẢI NĂNG LƯỢNG
Trong chương này chủ yếu nhắc lại các kiến thức cơ bản về cơ học nguyên lượng,
sự phân bố điện tử trong nguyên tử theo năng lượng, từ đó hình thành dải năng lượng
trong tinh thể chất bán dẫn. Để học chương này, sinh viên chỉ cần có kiến thức tương đối
về vật lý và hóa học đại cương. Mục tiêu cần đạt được là hiểu được ý nghĩa của dải dẫn
điện, dải hóa trị và dải cấm, từ đó phân biệt được các chất dẫn điện, bán dẫn điện và cách
điện.
I. KHÁI NIỆM VỀ CƠ HỌC NGUYÊN LƯỢNG:
Ta biết rằng vật chất được cấu tạo từ những nguyên tử (đó là thành phần nhỏ nhất
của nguyên tố mà còn giữ nguyên tính chất của nguyên tố đó). Theo mô hình của nhà vật
lý Anh Rutherford (1871-1937), nguyên tử gồm có một nhân mang điện tích dương
(Proton mang điện tích dương và Neutron trung hoà về điện) và một số điện tử (electron)
mang điện tích âm chuyển động chung quanh nhân và chịu tác động bởi lực hút của nhân.
Nguyên tử luôn luôn trung hòa điện tích, số electron quay chung quanh nhân bằng số
proton chứa trong nhân - điện tích của một proton bằng điện tích một electron nhưng trái
dấu). Điện tích của một electron là -1,602.10-19Coulomb, điều này có nghĩa là để có được
1 Coulomb điện tích phải có 6,242.1018 electron. điện tích của điện tử có thể đo được trực
tiếp nhưng khối lượng của điện tử không thể đo trực tiếp được. Tuy nhiên, người ta có
thể đo được tỉ số giữa điện tích và khối lượng (e/m), từ đó suy ra được khối lượng của
điện tử là:
m
o=9,1.10-31Kg
Đó là khối lượng của điện tử khi nó chuyển động với vận tốc rất nhỏ so với vận tốc
ánh sáng (c=3.108m/s). Khi vận tốc điện tử tăng lên, khối lượng của điện tử được tính
theo công thức Lorentz-Einstein:
2 2
o vc
1
m −
=
me
Mỗi điện tử chuyển động trên một đường tròn và chịu một gia tốc xuyên tâm. Theo
thuyết điện từ thì khi chuyển động có gia tốc, điện tử phải phát ra năng lượng. Sự mất
năng lượng này làm cho quỹ đạo của điện tử nhỏ dần và sau một thời gian ngắn, điện tử
sẽ rơi vào nhân. Nhưng trong thực tế, các hệ thống này là một hệ thống bền theo thời
gian. Do đó, giả thuyết của Rutherford không đứng vững.
Nhà vật lý học Đan Mạch Niels Bohr (1885- 1962) đã bổ túc bằng các giả thuyết
sau:
Có những quỹ đạo đặt biệt, trên đó điện tử có thể di chuyển mà không phát ra năng
lượng. Tương ứng với mỗi quỹ đạo có một mức năng lượng nhất định. Ta có một quỹ đạo
dừng.
Khi điện tử di chuyển từ một quỹ đạo tương ứng với mức năng lượng w1 sang quỹ
đạo khác tương ứng với mức năng lượng w2 thì sẽ có hiện tượng bức xạ hay hấp thu năng
lượng. Tần số của bức xạ (hay hấp thu) này là:
h
w w
f = 2 − 1
Trong đó, h=6,62.10-34 J.s (hằng số Planck).
Trong mỗi quỹ đạo dừng, moment động lượng của điện tử bằng bội số của = h
2π
h
Moment động lượng: nh
h2
m.v.r n. =
π
=
r
+e
-e
v
Hình 1
Với giả thuyết trên, người ta đã đoán được các mức năng lượng của nguyên tử
hydro và giải thích được quang phổ vạch của Hydro, nhưng không giải thích được đối với
những nguyên tử có nhiều điện tử. Nhận thấy sự đối tính giữa sóng và hạt, Louis de
Broglie (Nhà vật lý học Pháp) cho rằng có thể liên kết mỗi hạt điện khối lượng m, chuyển
động với vận tốc v một bước sóng
mv
h
λ = .
Tổng hợp tất cả giả thuyết trên là môn cơ học nguyên lượng, khả dĩ có thể giải thích
được các hiện tượng quan sát được ở cấp nguyên tử.
Phương trình căn bản của môn cơ học nguyên lượng là phương trình Schrodinger
được viết như sau:
(E U) 0
2.m
2
− h ∇ϕ + − ϕ =
∇ là toán tử Laplacien
Do Drive thay đổi chính sách, nên một số link cũ yêu cầu duyệt download. các bạn chỉ cần làm theo hướng dẫn.
Password giải nén nếu cần: ket-noi.com | Bấm trực tiếp vào Link để tải:
MỨC NĂNG LƯỢNG VÀ DẢI NĂNG LƯỢNG.4
I. KHÁI NIỆM VỀCƠHỌC NGUYÊN LƯỢNG:.4
II. PHÂN BỐ ĐIỆN TỬTRONG NGUYÊN TỬTHEO NĂNG LƯỢNG:.6
III. DẢI NĂNG LƯỢNG: (ENERGY BANDS).8
Chương II.12
SỰDẪN ĐIỆN TRONG KIM LOẠI.12
I. ĐỘLINH ĐỘNGVÀ DẪN XUẤT:.12
II. PHƯƠNG PHÁPKHẢO SÁT CHUYỄN ĐỘNG CỦA HẠT TỬBẰNG NĂNGLƯỢNG:.14
III. THẾNĂNG TRONG KIM LOẠI:.15
IV. SỰPHÂNBỐCỦA ĐIỆN TỬTHEO NĂNG LƯỢNG:.18
V. CÔNG RA (HÀMCÔNG):.20
VI. ĐIỆN THẾTIẾP XÚC (TIẾP THẾ):.21
Chương III.22
CHẤT BÁN DẪN ĐIỆN.22
I. CHẤT BÁN DẪN ĐIỆN THUẦN HAY NỘI BẨM:.22
II. CHẤT BÁN DẪN NGOẠI LAI HAY CÓ CHẤTPHA:.24
1. Chất bán dẫn loại N: (N -type semiconductor).24
2. Chất bán dẫn loại P:.25
3. Chất bán dẫn hỗn hợp:.26
III. DẪN SUẤT CỦA CHẤT BÁN DẪN:.27
IV. CƠCHẾDẪN ĐIỆN TRONG CHẤT BÁN DẪN:.29
V. PHƯƠNG TRÌNH LIÊN TỤC:.30
Chương IV.32
NỐI P-N VÀ DIODE.32
I. CẤU TẠO CỦA NỐI P-N:.32
II. DÒNG ĐIỆN TRONG NỐI P-NKHI ĐƯỢC PHÂN CỰC:.34
1. Nối P-N được phân cực thuận:.35
2. Nối P-N khi được phân cực nghịch:.38
III. ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘLÊN NỐI P-N:.40
IV. NỘI TRỞCỦA NỐI P-N.41
1. Nội trởtĩnh
Staticresistance).412. Nội trở độngcủa nối P-N: (DynamicResistance).42
V. ĐIỆN DUNG CỦA NỐI P-N.44
1. Điệndung chuyển tiếp (Điệndung nối).44
2. Điệndung khuếch tán.(Difusion capacitance).45
VI. CÁC LOẠI DIODE THÔNG DỤNG.45
1. Diode chỉnh lưu:.45
2. Diode táchsóng.53
3. Diode schottky:.53
4. Diode ổn áp (diode Zenner):.54
5. Diode biến dung: (Varicap– Varactor diode).57
6. Diode hầm (Tunnel diode).58
Bài tập cuối chương.59
Chương V.61
TRANSISTOR LƯỠNG CỰC.61
I. CẤU TẠO CƠBẢN CỦA BJT.61
II. TRANSISTOR ỞTRẠNG THÁI CHƯA PHÂN CỰC.61
III. CƠCHẾHOẠT ĐỘNG CỦA TRANSISTOR LƯỠNG CỰC.63
IV. CÁC CÁCH RÁP TRANSISTOR VÀ ĐỘLỢI DÒNG ĐIỆN.64
V. DÒNG ĐIỆN RỈTRONG TRANSISTOR.66
VI. ĐẶC TUYẾN V-I CỦA TRANSISTOR.67
1. Mắc theokiểu cực nền chung:.68
2. Mắc theokiểu cực phát chung.69
3. Ảnh hưởng của nhiệt độlên các đặc tuyến của BJT.72
VII. ĐIỂM ĐIỀU HÀNH – ĐƯỜNG THẲNG LẤY ĐIỆN MỘT CHIỀU.73
VIII. KIỂU MẪU MỘT CHIỀU CỦA BJT.78
Trang 2 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
IX. BJT VỚI TÍN HIỆU XOAY CHIỀU.80
1. Mô hìnhcủa BJT:.80
2. Điện dẫn truyền (transconductance).82
3. Tổngtrởvào của transistor:.83
4. Hiệu ứng Early(Earlyeffect).85
5. Mạchtương đương xoaychiều của BJT:.86
Bài tập cuối chương.90
CHƯƠNG 6.91
TRANSISTOR TRƯỜNG ỨNG.91
I. CẤU TẠO CĂN BẢN CỦA JFET:.91
II. CƠCHẾHOẠT ĐỘNG CỦA JFET:.93
III. ĐẶC TUYẾN TRUYỀN CỦA JFET.99
IV. ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘTRÊN JFET.100
V. MOSFET LOẠI HIẾM (DEPLETION MOSFET: DE MOSFET).102
VI. MOSFET LOẠI TĂNG (ENHANCEMENT MOSFET: E-MOSFET).107
VII.XÁC ĐỊNH ĐIỂM ĐIỀU HÀNH:.111
VIII. FET VỚI TÍN HIỆU XOAY CHIỀU VÀ MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG VỚI TÍN HIỆU NHỎ.113
IX. ĐIỆN DẪN TRUYỀN (TRANSCONDUCTANCE) CỦA JFET VÀ DEMOSFET.117
X. ĐIỆN DẪN TRUYỀN CỦA E-MOSFET.118
XI. TỔNG TRỞVÀO VÀ TỔNG TRỞRA CỦA FET.119
XII. CMOS TUYẾN TÍNH (LINEAR CMOS).120
XIII. MOSFET CÔNG SUẤT: V-MOS VÀD-MOS.122
1. V-MOS:.122
2. D-MOS:.123
Bài tập cuối chương.125
CHƯƠNG VII.126
LINH KIỆN CÓ BỐN LỚP BÁN DẪN PNPN VÀ NHỮNG LINH KIỆN KHÁC.126
I. SCR (THYRISTOR – SILICON CONTROLLED RECTIFIER).126
1. Cấu tạo và đặc tính:.126
2. Đặc tuyến Volt-Ampere của SCR:.128
3. Các thông sốcủa SCR:.129
4. SCR hoạt động ở điện thếxoay chiều.130
5. Vài ứng dụng đơn giản:.131
II. TRIAC (TRIOD AC SEMICONDUCTOR SWITCH).133
III. SCS (SILICON – CONTROLLED SWITCH).135
IV. DIAC.136
V. DIOD SHOCKLEY.137
VI. GTO (GATE TURN – OFF SWITCH).138
VII.UJT (UNIJUNCTION TRANSISTOR – TRANSISTOR ĐỘC NỐI).140
1. Cấu tạo và đặc tính của UJT:.140
2. Các thông sốkỹthuật của UJT và vấn đề ổn định nhiệt cho đỉnh:.143
3. Ứng dụng đơn giản của UJT:.144
VIII. PUT (Programmable UnijunctionTransistor).145
CHƯƠNG VIII.148
LINH KIỆN QUANG ĐIỆN TỬ.148
I. ÁNH SÁNG.148
II. QUANG ĐIỆN TRỞ(PHOTORESISTANCE).149
III. QUANG DIOD (PHOTODIODE).151
IV. QUANG TRANSISTOR (PHOTO TRANSISTOR).152
V. DIOD PHÁT QUANG (LED-LIGHT EMITTINGDIODE).154
VI. NỐI QUANG.155
CHƯƠNG IX.157
SƠLƯỢC VỀIC.157
I. KHÁI NIỆM VỀIC -SỰKẾT TỤTRONG HỆTHỐNG ĐIỆN TỬ.157
II. CÁC LOẠI IC.159
1. ICmàng (film IC):.159
2. IC đơn tínhthể(Monolithic IC):.159
3. IClai (hibrid IC).160
III. SƠLƯỢC VỀQUI TRÌNH CHẾTẠO MỘT IC ĐƠN TINH THỂ.160
IV. IC SỐ(IC DIGITAL) VÀ IC TƯƠNG TỰ(IC ANALOG).162
1. ICDigital:.162
2. ICanalog:.163
Tài liệu tham khảo.163
Chương I
MỨC NĂNG LƯỢNG VÀ DẢI NĂNG LƯỢNG
Trong chương này chủ yếu nhắc lại các kiến thức cơ bản về cơ học nguyên lượng,
sự phân bố điện tử trong nguyên tử theo năng lượng, từ đó hình thành dải năng lượng
trong tinh thể chất bán dẫn. Để học chương này, sinh viên chỉ cần có kiến thức tương đối
về vật lý và hóa học đại cương. Mục tiêu cần đạt được là hiểu được ý nghĩa của dải dẫn
điện, dải hóa trị và dải cấm, từ đó phân biệt được các chất dẫn điện, bán dẫn điện và cách
điện.
I. KHÁI NIỆM VỀ CƠ HỌC NGUYÊN LƯỢNG:
Ta biết rằng vật chất được cấu tạo từ những nguyên tử (đó là thành phần nhỏ nhất
của nguyên tố mà còn giữ nguyên tính chất của nguyên tố đó). Theo mô hình của nhà vật
lý Anh Rutherford (1871-1937), nguyên tử gồm có một nhân mang điện tích dương
(Proton mang điện tích dương và Neutron trung hoà về điện) và một số điện tử (electron)
mang điện tích âm chuyển động chung quanh nhân và chịu tác động bởi lực hút của nhân.
Nguyên tử luôn luôn trung hòa điện tích, số electron quay chung quanh nhân bằng số
proton chứa trong nhân - điện tích của một proton bằng điện tích một electron nhưng trái
dấu). Điện tích của một electron là -1,602.10-19Coulomb, điều này có nghĩa là để có được
1 Coulomb điện tích phải có 6,242.1018 electron. điện tích của điện tử có thể đo được trực
tiếp nhưng khối lượng của điện tử không thể đo trực tiếp được. Tuy nhiên, người ta có
thể đo được tỉ số giữa điện tích và khối lượng (e/m), từ đó suy ra được khối lượng của
điện tử là:
m
o=9,1.10-31Kg
Đó là khối lượng của điện tử khi nó chuyển động với vận tốc rất nhỏ so với vận tốc
ánh sáng (c=3.108m/s). Khi vận tốc điện tử tăng lên, khối lượng của điện tử được tính
theo công thức Lorentz-Einstein:
2 2
o vc
1
m −
=
me
Mỗi điện tử chuyển động trên một đường tròn và chịu một gia tốc xuyên tâm. Theo
thuyết điện từ thì khi chuyển động có gia tốc, điện tử phải phát ra năng lượng. Sự mất
năng lượng này làm cho quỹ đạo của điện tử nhỏ dần và sau một thời gian ngắn, điện tử
sẽ rơi vào nhân. Nhưng trong thực tế, các hệ thống này là một hệ thống bền theo thời
gian. Do đó, giả thuyết của Rutherford không đứng vững.
Nhà vật lý học Đan Mạch Niels Bohr (1885- 1962) đã bổ túc bằng các giả thuyết
sau:
Có những quỹ đạo đặt biệt, trên đó điện tử có thể di chuyển mà không phát ra năng
lượng. Tương ứng với mỗi quỹ đạo có một mức năng lượng nhất định. Ta có một quỹ đạo
dừng.
Khi điện tử di chuyển từ một quỹ đạo tương ứng với mức năng lượng w1 sang quỹ
đạo khác tương ứng với mức năng lượng w2 thì sẽ có hiện tượng bức xạ hay hấp thu năng
lượng. Tần số của bức xạ (hay hấp thu) này là:
h
w w
f = 2 − 1
Trong đó, h=6,62.10-34 J.s (hằng số Planck).
Trong mỗi quỹ đạo dừng, moment động lượng của điện tử bằng bội số của = h
2π
h
Moment động lượng: nh
h2
m.v.r n. =
π
=
r
+e
-e
v
Hình 1
Với giả thuyết trên, người ta đã đoán được các mức năng lượng của nguyên tử
hydro và giải thích được quang phổ vạch của Hydro, nhưng không giải thích được đối với
những nguyên tử có nhiều điện tử. Nhận thấy sự đối tính giữa sóng và hạt, Louis de
Broglie (Nhà vật lý học Pháp) cho rằng có thể liên kết mỗi hạt điện khối lượng m, chuyển
động với vận tốc v một bước sóng
mv
h
λ = .
Tổng hợp tất cả giả thuyết trên là môn cơ học nguyên lượng, khả dĩ có thể giải thích
được các hiện tượng quan sát được ở cấp nguyên tử.
Phương trình căn bản của môn cơ học nguyên lượng là phương trình Schrodinger
được viết như sau:
(E U) 0
2.m
2
− h ∇ϕ + − ϕ =
∇ là toán tử Laplacien
Do Drive thay đổi chính sách, nên một số link cũ yêu cầu duyệt download. các bạn chỉ cần làm theo hướng dẫn.
Password giải nén nếu cần: ket-noi.com | Bấm trực tiếp vào Link để tải:
You must be registered for see links